BCX71J詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
- 電流_集電極截止(最大):20nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:250 @ 2mA,5V
- 功率_最大:350mW
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23
- 包裝:帶卷 (TR)
BCX71J,215詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:250 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:TO-236AB
- 包裝:剪切帶 (CT)
BCX71J,215詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:250 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:TO-236AB
- 包裝:帶卷 (TR)
BCX71J,215詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:250 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:TO-236AB
- 包裝:Digi-Reel®
BCX71J,235詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:250 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:TO-236AB
- 包裝:帶卷 (TR)
BCX71J_D87Z詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
- 電流_集電極截止(最大):20nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:250 @ 2mA,5V
- 功率_最大:350mW
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23
- 包裝:帶卷 (TR)
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 1000PF 50V 5% NP0 0402
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 15PF 50V 5% NP0 0603
- 固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 12X12 2.2UH 8.00A
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 0.033UF 100V X7R 0603
- 晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 1000PF 50V 5% X7R 0402
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 150PF 50V 1% NP0 0603
- 固定式 EPCOS Inc 非標準 INDUCTOR POWER 33UH 3.0A SMD
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 0.033UF 25V 10% X7R 0603
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 1000PF 25V 10% X7R 0402
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 0.033UF 25V 10% X7R 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 150PF 50V 1% NP0 0603
- 晶體管(BJT) - 單路 Rohm Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR PNP 45V 200MA SST3 TR
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 0.22UF 100V 20% X7R 1210
- 固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 12X12 330.0UH 0.95A
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