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BD677 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BD677詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS DARL NPN 60V SOT-32
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶體管類型:NPN - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):2.5V @ 30mA,1.5A
電流_集電極截止(最大):500µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:750 @ 1.5A,3V
功率_最大:40W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3
供應商設備封裝:SOT-32-3
包裝:管件

BD677詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS DARL NPN 60V 4A BIPO TO225
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):2.5V @ 30mA,1.5A
電流_集電極截止(最大):500µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:750 @ 1.5A,3V
功率_最大:40W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3
供應商設備封裝:TO225AA
包裝:散裝

BD6775EFV-E2詳細規格

類別:PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 內部開關
描述:IC DRVR PWM H BRIDGE HTSSOP-B24
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
類型:H 橋
輸入類型:非反相
輸出數:4
導通電阻:3 歐姆
電流_輸出/通道:500mA
電流_峰值輸出:800mA
電壓_電源:4.5 V ~ 6 V
工作溫度:-20°C ~ 75°C
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:24-VSSOP(0.220",5.60mm 寬)裸露焊盤
供應商器件封裝:24-HTSSOP-B
包裝:剪切帶 (CT)

BD6775EFV-E2詳細規格

類別:PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 內部開關
描述:IC DRVR PWM H BRIDGE HTSSOP-B24
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
類型:H 橋
輸入類型:非反相
輸出數:4
導通電阻:3 歐姆
電流_輸出/通道:500mA
電流_峰值輸出:800mA
電壓_電源:4.5 V ~ 6 V
工作溫度:-20°C ~ 75°C
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:24-VSSOP(0.220",5.60mm 寬)裸露焊盤
供應商器件封裝:24-HTSSOP-B
包裝:帶卷 (TR)

BD6775EFV-E2詳細規格

類別:PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 內部開關
描述:IC DRVR PWM H BRIDGE HTSSOP-B24
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
類型:H 橋
輸入類型:非反相
輸出數:4
導通電阻:3 歐姆
電流_輸出/通道:500mA
電流_峰值輸出:800mA
電壓_電源:4.5 V ~ 6 V
工作溫度:-20°C ~ 75°C
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:24-VSSOP(0.220",5.60mm 寬)裸露焊盤
供應商器件封裝:24-HTSSOP-B
包裝:Digi-Reel®

BD677A詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 60V 4A SOT-32
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶體管類型:NPN - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):2.8V @ 40mA,2A
電流_集電極截止(最大):500µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:750 @ 2A,3V
功率_最大:40W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3
供應商設備封裝:SOT-32-3
包裝:管件

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