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BFC242011502詳細規格: 類別：薄膜; 描述：CAP FILM 1500PF 630VDC RADIAL; 系列：420; 制造商：Vishay BC Components; 電容：1500pF; 電壓_額定：; 容差：±2%; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：徑向; 工作溫度：-55°C ~ 85°C; 特點：高頻和高穩定性; 包裝：帶盒（TB）; 尺寸/尺寸：0.284" L x 0.138" W（7.20mm x 3.50mm）; 高度_座高（最大）：0.315"（8.00mm）

BFC242011502詳細規格: 類別：薄膜; 描述：CAP FILM 1500PF 630VDC RADIAL; 系列：420; 制造商：Vishay BC Components; 電容：1500pF; 額定電壓_AC：160V; 額定電壓_DC：630V; 電介質材料：聚丙烯，金屬化; 容差：±2%; ESR（等效串聯電阻）：-; 工作溫度：-55°C ~ 85°C; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：徑向; 尺寸/尺寸：0.284" L x 0.138" W（7.20mm x 3.50mm）; 高度_座高（最大）：0.315"（8.00mm）; 端子：PC 引腳; 引線間隔：0.197"（5.00mm）; 特點：高頻和高穩定性; 應用：-; 包裝：帶盒（TB）

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BGA2011,115
RF 放大器 NXP Semiconductors 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MMIC AMPLIFIER 900MHZ 6TSSOP
BD4746G-TR
PMIC - 監控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線 IC RESET CPU BIPOLAR 4.6V 5SSOP
BFC242011502
薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 1500PF 630VDC RADIAL
B43505A9107M2
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 100UF 400V
C3216C0G1E104J
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 0.1UF 25V 5% NP0 1206
BR24C02-MN6TP
存儲器 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC EEPROM 2KBIT 400KHZ 8SOIC
BSO201SP
FET - 單 Infineon Technologies 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC
BGA2012,115
RF 放大器 NXP Semiconductors 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MMIC AMPLIFIER 1.9GHZ 6TSSOP
BD4823FVE-TR
PMIC - 監控器 Rohm Semiconductor SOT-665 IC DETECTOR VOLT 2.3V ODRN 5VSOF
B43505A9107M67
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 100UF 400V
C3216C0G1E153J
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 0.015UF 25V 5% NP0 1206
BSO220N03MS G
FET - 單 Infineon Technologies 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 7A DSO-8
BR24C02-MN6TP
存儲器 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC EEPROM 2KBIT 400KHZ 8SOIC
BD4826G-TR
PMIC - 監控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線 IC RESET N-CH OD 2.6V 5SSOP
BGA2709,115
RF 放大器 NXP Semiconductors 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MMIC AMPLIFIER 6TSSOP