BFP 720FESD H6327 全國供應商、價格、PDF資料

BFP 720FESD H6327詳細規格

類別：RF 晶體管 (BJT)

描述：TRANS RF NPN 45GHZ 4.7V TSFP-4

系列：-

制造商：Infineon Technologies

晶體管類型：NPN

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：4.7V

頻率_轉換：45GHz

噪聲系數（dB典型值0a0頻率）：0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz

增益：10dB ~ 29dB

功率_最大：100mW

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 15mA，3V

電流_集電極333Ic444（最大）：30mA

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：4-SMD，扁平引線

供應商設備封裝：4-TSFP

包裝：帶卷 (TR)

• C0805C272K5HACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 2700PF 50V 10% X8R 0805

• BMI-S-102

  RF 屏蔽    Laird Technologies EMI    0805（2012 公制）    BOARD SHIELD .65X.65" 1PIECE

• BFP 183W E6327

  RF 晶體管 (BJT)    Infineon Technologies    SC-82A，SOT-343    TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343

• BFP 720FESD E6327

  RF 晶體管 (BJT)    Infineon Technologies    4-SMD，扁平引線    TRANS RF NPN 45GHZ 4.7V TSFP4

• C0603X5R0J473M

  陶瓷    TDK Corporation    0201（0603 公制）    CAP CER 0.047UF 6.3V X5R 0201

• BR24L04-W

  存儲器    Rohm Semiconductor    8-DIP（0.300"，7.62mm）    IC EEPROM 4KBIT 400KHZ 8DIP

• C0603C154K5RACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 0.15UF 50V 10% X7R 0603

• C1812C823J5GACTU

  陶瓷    Kemet    1812（4532 公制）    CAP CER 0.082UF 50V 5% NP0 1812

• C0805C272K5HACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 2700PF 50V 10% X8R 0805

• BFP 193 E6327

  RF 晶體管 (BJT)    Infineon Technologies    TO-253-4，TO-253AA    TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143

• BR24L08FJ-WE2

  存儲器    Rohm Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC EEPROM 8KBIT 400KHZ 8SOP

• C0603C154K5RACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 0.15UF 50V 10% X7R 0603

• C0603X5R0J473M

  陶瓷    TDK Corporation    0201（0603 公制）    CAP CER 0.047UF 6.3V X5R 0201

• C1812C824K5RACTU

  陶瓷    Kemet    1812（4532 公制）    CAP CER 0.82UF 50V 10% X7R 1812

• BMI-S-103

  RF 屏蔽    Laird Technologies EMI    1812（4532 公制）    BOARD SHIELD 1.032X1.032" 1PIECE