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BFU660F,115 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BFU660F,115詳細規格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANSISTOR NPN SOT343F-4
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發射極擊穿(最大):5.5V
頻率_轉換:21GHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
增益:12dB ~ 21dB
功率_最大:225mW
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:90 @ 10mA,2V
電流_集電極333Ic444(最大):60mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-343F
供應商設備封裝:4-DFP
包裝:剪切帶 (CT)

BFU660F,115詳細規格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANSISTOR NPN SOT343F
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發射極擊穿(最大):5.5V
頻率_轉換:21GHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
增益:12dB ~ 21dB
功率_最大:225mW
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:90 @ 10mA,2V
電流_集電極333Ic444(最大):60mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-343F
供應商設備封裝:4-DFP
包裝:帶卷 (TR)

BFU660F,115詳細規格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANSISTOR NPN SOT343F-4
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發射極擊穿(最大):5.5V
頻率_轉換:21GHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
增益:12dB ~ 21dB
功率_最大:225mW
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:90 @ 10mA,2V
電流_集電極333Ic444(最大):60mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-343F
供應商設備封裝:4-DFP
包裝:Digi-Reel®

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