BJ-122.880MBE-T 全國供應商、價格、PDF資料

BJ-122.880MBE-T詳細規格

類別：振蕩器

描述：OSC VCXO 122.880 MHZ 3.3V SMD

系列：BJ

制造商：TXC CORPORATION

類型：VCXO

頻率范圍：

頻率：122.88MHz

頻率_中心：

功能：-

調諧電壓333VDC444：

第2諧波qqq標準值333dBc444：

輸出：LVPECL

最大Icc：

電源電壓：3.3V

Kvco333MHz/V444：

頻率穩定性：±50ppm

功率333dBm444：

工作溫度：-40°C ~ 85°C

電流_電源（最大）：80mA

相位噪聲標準值333dBc/Hz444：

額定值：-

安裝類型：表面貼裝

尺寸/尺寸：0.276" L x 0.197" W（7.00mm x 5.00mm）

高度：0.059"（1.50mm）

封裝/外殼：6-SMD，無引線（DFN，LCC）

包裝：帶卷 (TR)

• BF245C_D27Z

  RF FET    Fairchild Semiconductor    TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線    IC AMP RF N-CH 30V TO-92

• BMI-S-106

  RF 屏蔽    Laird Technologies EMI    TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線    BOARD SHIELD 1.326X1.450" 1PIECE

• BI-UM-3-4

  配件    MPD (Memory Protection Devices)    TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線    INSULATOR BATTERY MYLAR

• C3216X8R1C335K

  陶瓷    TDK Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 3.3UF 16V 10% X8R 1206

• B43508A5227M

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 220UF 450V

• B57231V2103K60

  熱敏電阻 - NTC    EPCOS Inc        0402 10K K60 GHL1895 B-4500 UPA

• BS170_D26Z

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92

• C0805C225K9PACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 2.2UF 6.3V 10% X5R 0805

• BF256A

  RF FET    ON Semiconductor    TO-226-3、TO-92-3 標準主體     TRANS JFET RF SS N-CH 30V TO-92

• C3216X8R1E105K/EPOXY

  陶瓷    TDK Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 1UF 25V 10% X8R 1206

• B43508A5227M2

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 220UF 450V

• B57231V2153K60

  熱敏電阻 - NTC    EPCOS Inc    0402（1005 公制）    THERMISTOR NTC 15K OHM 10% 0402

• BS170_D27Z

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92

• BF256AG

  RF FET    ON Semiconductor    TO-226-3、TO-92-3 標準主體     TRANS JFET RF SS N-CH 30V TO-92

• C0805C225K9PACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 2.2UF 6.3V 10% X5R 0805