描述：IS62WV5128BLL-55HLI
ISSI IS62WV5128ALL / IS62WV5128BLL是高速4M位靜態RAM，按以下方式組織為512K字：8位。它是使用ISSI的高性能制造的CMOS技術。這個高度可靠的過程采用創新的電路設計技術，可以生產出高性能和低功耗的設備。CS1為高電平（取消選擇）時，設備假定待機模式下功耗可以達到降低了CMOS輸入電平。使用芯片啟用功能可輕松擴展內存和輸出使能輸入。低電平有效寫使能（WE）控制存儲器的寫入和讀取。封裝了IS62WV5128ALL和IS62WV5128BLL在JEDEC標準的32引腳TSOP（TYPE I），32引腳中sTSOP（I型），32引腳TSOP（II型），32引腳SOP和36引腳迷你BGA。
特征：IS62WV5128BLL-55HLI
•高速訪問時間：55ns，70ns
•CMOS低功耗運行（典型）36 mW（工作）9 μW（典型）CMOS待機
•TTL兼容接口級別
•單電源1.65V – 2.2V Vdd（IS62WV5128ALL）2.5V – 3.6V Vdd（IS62WV5128BLL）
•完全靜態操作：無需時鐘或刷新
•三態輸出
•可提供工業溫度
•無鉛
制造商:ISSI
產品種類:靜態隨機存取存儲器
RoHS: 詳細信息
存儲容量:4 Mbit
組織:512 k x 8
訪問時間:55 ns
最大時鐘頻率:18 MHz
接口類型:Parallel
電源電壓-最大:3.6 V
電源電壓-最小:2.5 V
電源電流—最大值:15 uA
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 85 C
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:sTSOP-32
封裝:Tray
數據速率:SDR
系列:IS62WV5128BLL
類型:Asynchronous
商標:ISSI
端口數量:1
濕度敏感性:Yes
產品類型:SRAM
子類別:Memory & Data Storage
單位重量:454 m
