BLT80,115詳細規格
- 類別:RF 晶體管 (BJT)
- 描述:TRANS NPN 10V 250MA SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:NPN
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):10V
- 頻率_轉換:900MHz
- 噪聲系數(dB典型值0a0頻率):-
- 增益:-
- 功率_最大:2W
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:25 @ 150mA,5V
- 電流_集電極333Ic444(最大):250mA
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SC-73
- 包裝:帶卷 (TR)
BLT80,115詳細規格
- 類別:RF 晶體管 (BJT)
- 描述:TRANS NPN 10V 250MA SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:NPN
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):10V
- 頻率_轉換:900MHz
- 噪聲系數(dB典型值0a0頻率):-
- 增益:-
- 功率_最大:2W
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:25 @ 150mA,5V
- 電流_集電極333Ic444(最大):250mA
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SC-73
- 包裝:帶卷 (TR)
- 邏輯 - 緩沖器,驅動器,接收器,收發器 NXP Semiconductors 20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC BUFF/DVR TRI-ST 8BIT 20SOIC
- 多芯導線 General Cable/Carol Brand 20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 2C/14 19/.0147TC OA SH CL2
- RF FET NXP Semiconductors SOT539B TRANS LDMOS SOT539B
- RF 晶體管 (BJT) NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA TRANS NPN 10V 250MA SOT223
- 邏輯 - 柵極和逆變器 NXP Semiconductors 14-DIP(0.300",7.62mm) IC HEX INVERTER 14DIP
- 薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.39UF 160VDC RADIAL
- PMIC - 電池管理 Texas Instruments 8-WFDFN 裸露焊盤 IC BATT PROT 2-4CELL LIION 8WSON
- 邏輯 - 緩沖器,驅動器,接收器,收發器 NXP Semiconductors 20-SSOP(0.209",5.30mm 寬) IC BUFF/DVR TRI-ST 8BIT 20SSOP
- 多芯導線 General Cable/Carol Brand 20-SSOP(0.209",5.30mm 寬) 2C/12 19/.0185TC OA SH CL2
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 560PF 50V 10% NP0 0603
- 薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.47UF 160VDC RADIAL
- 邏輯 - 柵極和逆變器 NXP Semiconductors 14-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC HEX INVERTER 14TSSOP
- 多芯導線 General Cable/Carol Brand 14-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) 2C/14 41/30TC TRAFFIC LOOP
- PMIC - 電池管理 Texas Instruments 8-WFDFN 裸露焊盤 IC BATT PROT 2-4CELL LIION 8WSON
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 5600PF 100V 5% X7R 0603
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