BQ4014YMB-120 全國供應商、價格、PDF資料

BQ4014YMB-120詳細規格

類別：存儲器

描述：IC NVSRAM 2MBIT 120NS 32DIP

系列：-

制造商：Texas Instruments

格式_存儲器：RAM

存儲器類型：NVSRAM（非易失 SRAM）

存儲容量：2M (256K x 8)

速度：120ns

接口：并聯

電壓_電源：4.5 V ~ 5.5 V

工作溫度：0°C ~ 70°C

封裝/外殼：32-DIP 模塊（0.61"，15.49mm）

供應商器件封裝：32-DIP 模塊（18.42x52.96）

包裝：管件

• B76306E4779M020

  鉭    Kemet    2917（7343 公制）    CAP TANT 470UF 6.3V 20% 2917

• B43457A6108M

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SCREW TERM 1000UF 500V

• BQ4013MA-120

  存儲器    Texas Instruments    32-DIP 模塊（0.61"，15.49mm）    IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32DIP

• C0603C909D5GACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 9PF 50V NP0 0603

• 7-146502-8

  面板至面板 - 面板襯墊，堆疊器    TE Connectivity    0603（1608 公制）    CONN HEADR 56POS .100" DUAL ROW

• C0805C220KDGACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 22PF 1KV 10% NP0 0805

• C0603C473K5RACAUTO

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 0.047UF 50V 10% X7R 0603

• B78108S1102J

  固定式    EPCOS Inc        HF-CHOKE BC 1UH 5%

• B32672L8222J189

  薄膜    EPCOS Inc    徑向    FILM CAP 2.2NF 5% 700VAC MKP

• C0805C221J1GACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 220PF 100V 5% NP0 0805

• 7-146503-3

  面板至面板 - 面板襯墊，堆疊器    TE Connectivity    0805（2012 公制）    CONN HEADR 46POS .100" DUAL ROW

• C0603C910F1GACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 91PF 100V 1% NP0 0603

• C0603C473K5RACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 0.047UF 50V 10% X7R 0603

• B78108S1153K

  固定式    EPCOS Inc    軸向    CHOKE RF 15UH 610MA AXIAL

• B32672L8222J289

  薄膜    EPCOS Inc    徑向    FILM CAP 2.2NF 5% 700VAC MKP