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BSB012N03LX3 G 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BSB012N03LX3 G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:39A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 毫歐 @ 30A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:169nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:16900pF @ 15V
功率_最大:2.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-WDSON
供應商設備封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M?
包裝:剪切帶 (CT)

BSB012N03LX3 G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:39A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 毫歐 @ 30A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:169nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:16900pF @ 15V
功率_最大:2.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-WDSON
供應商設備封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M?
包裝:帶卷 (TR)

BSB012N03LX3 G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:39A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 毫歐 @ 30A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:169nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:16900pF @ 15V
功率_最大:2.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-WDSON
供應商設備封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M?
包裝:Digi-Reel®

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