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BSC016N06NS 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BSC016N06NS詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSF N CH 60V 30A TDSON-8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:30A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.6 毫歐 @ 100A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.8V @ 95µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:5200pF @ 30V
功率_最大:139W
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

BSC016N06NS詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSF N CH 60V 30A TDSON-8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:30A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.6 毫歐 @ 100A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.8V @ 95µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:5200pF @ 30V
功率_最大:139W
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

BSC016N06NS詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSF N CH 60V 30A TDSON-8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:30A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.6 毫歐 @ 100A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.8V @ 95µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:5200pF @ 30V
功率_最大:139W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerTDFN
供應商設備封裝:PG-TDSON-8
包裝:散裝

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