BSC152N10NSF G 全國供應商、價格、PDF資料

BSC152N10NSF G詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：63A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15.2 毫歐 @ 25A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 72µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 50V

功率_最大：114W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerTDFN

供應商設備封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）

包裝：帶卷 (TR)

• B43504E2477M2

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 470UF 200V

• BFC241911603

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 0.016UF 400VDC RADIAL

• B82422A3390K108

  固定式    EPCOS Inc        SMT-INDUCTOR 1210 0.039UH 10%

• C320C104K1R5TA7303

  陶瓷    Kemet    徑向    CAP CER 0.1UF 100V 10% RADIAL

• BSC130P03LS G

  FET - 單    Infineon Technologies    8-PowerTDFN    MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8

• B37933K5120J60

  陶瓷    EPCOS Inc    0603（1608 公制）    CAP CER 12PF 50V 5% C0H 0603

• BFC241911803

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 0.018UF 400VDC RADIAL

• B43504E2477M62

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 470UF 200V

• B82422A3471K100

  固定式    EPCOS Inc    1210（3225 公制）    INDUCTOR .47UH 150MA 1210 10%

• B37933K5820J60

  陶瓷    EPCOS Inc    0603（1608 公制）    CAP CER 82PF 50V 5% C0H 0603

• B43504E2477M7

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SNAP IN 470UF 200V

• BFC241912002

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 2000PF 400VDC RADIAL

• B82422A3471K100

  固定式    EPCOS Inc    1210（3225 公制）    INDUCTOR .47UH 150MA 1210 10%

• C320C104K5R5TA7301

  陶瓷    Kemet    徑向    CAP CER 0.1UF 50V 10% RADIAL

• BSC160N10NS3 G

  FET - 單    Infineon Technologies    8-PowerTDFN    MOSFET N-CH 100V 42A TDSON-8