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BSO203P 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BSO203P詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET DUAL P-CH 20V 8.2A 8-SOIC
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:8.2A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫歐 @ 8.2A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 100µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:48.6nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2242pF @ 15V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:P-DSO-8
包裝:帶卷 (TR)

BSO203P詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET DUAL P-CH 20V 8.2A 8-SOIC
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:8.2A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫歐 @ 8.2A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 100µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:48.6nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2242pF @ 15V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:P-DSO-8
包裝:剪切帶 (CT)

BSO203P H詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET P-CH 20V 7A DSO-8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫歐 @ 8.2A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 100µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3750pF @ 15V
功率_最大:1.6W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:P-DSO-8
包裝:Digi-Reel®

BSO203P H詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET P-CH 20V 7A DSO-8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫歐 @ 8.2A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 100µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3750pF @ 15V
功率_最大:1.6W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:P-DSO-8
包裝:帶卷 (TR)

BSO203P H詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET P-CH 20V 7A DSO-8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫歐 @ 8.2A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 100µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3750pF @ 15V
功率_最大:1.6W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:P-DSO-8
包裝:剪切帶 (CT)

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