BSP61,115詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PNP 80V 500MA SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:PNP - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444(最大):1A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.3V @ 500µA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):50nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:2000 @ 500mA,10V
- 功率_最大:1.25W
- 頻率_轉換:200MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SC-73
- 包裝:帶卷 (TR)
BSP61,115詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PNP 80V 500MA SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:PNP - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444(最大):1A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.3V @ 500µA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):50nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:2000 @ 500mA,10V
- 功率_最大:1.25W
- 頻率_轉換:200MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SC-73
- 包裝:剪切帶 (CT)
BSP61,115詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PNP 80V 500MA SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:PNP - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444(最大):1A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.3V @ 500µA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):50nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:2000 @ 500mA,10V
- 功率_最大:1.25W
- 頻率_轉換:200MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SC-73
- 包裝:Digi-Reel®
BSP613P詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.9A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫歐 @ 2.9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:33nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:875pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:PG-SOT223-4
- 包裝:帶卷 (TR)
BSP613P L6327詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.9A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫歐 @ 2.9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:33nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:875pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:PG-SOT223-4
- 包裝:剪切帶 (CT)
BSP613P L6327詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.9A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫歐 @ 2.9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:33nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:875pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:PG-SOT223-4
- 包裝:帶卷 (TR)
- 香蕉式和端頭 - 插座,插頭 Keystone Electronics 1210(3225 公制) JACK TEST HORIZ LOW PRO BLK GOLD
- 固定式 EPCOS Inc 1210(3225 公制) INDUCTOR 1.0UH 1150MA 1210 10%
- FET - 單 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
- 電容器 EPCOS Inc 33UF 25V 5X11 SINGLE END
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.047UF 25V 5% X7R 1206
- 其它 3M 1206(3216 公制) TS HIGH STRENGTH DISC 3" A MED
- 電源輸入 - 輸入端,輸出端,模塊 Schurter Inc 1206(3216 公制) 6.CBTBF100C0-C6135
- 矩形 - 觸點 TE Connectivity 1206(3216 公制) CONN PIN 14-20AWG GOLD CRIMP
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 18UF 6.3V 10% X5R 1210
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.047UF 50V 5% X7R 1206
- 電容器 EPCOS Inc 3300UF 25V 16X31.5 SINGLE END
- 其它 3M SURFACE LS BELT 1/2X18" A MED
- 面板指示器,指示燈 Dialight LED PNL IND 6MM R,G 2V RECESS
- 電源輸入 - 輸入端,輸出端,模塊 Schurter Inc 6.CBTBF150C0-C6135
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 22PF 50V 5% NP0 1210
东城区|
秦皇岛市|
凤山县|
新和县|
祁门县|
梁山县|
承德市|
三亚市|
祁东县|
鸡泽县|
米易县|
手机|
吴川市|
宽城|
尚义县|
调兵山市|
老河口市|
呈贡县|
扎囊县|
中阳县|
浮梁县|
长沙市|
永春县|
奉贤区|
乐陵市|
岱山县|
繁峙县|
鹤庆县|
大英县|
拜泉县|
都安|
昌宁县|
汤阴县|
阳西县|
南城县|
开鲁县|
鄂尔多斯市|
灵丘县|
南江县|
江源县|
荔浦县|