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BSP613P L6327 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BSP613P L6327詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
系列:SIPMOS®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.9A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫歐 @ 2.9A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:33nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:875pF @ 25V
功率_最大:1.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:PG-SOT223-4
包裝:剪切帶 (CT)

BSP613P L6327詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
系列:SIPMOS®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.9A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫歐 @ 2.9A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:33nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:875pF @ 25V
功率_最大:1.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:PG-SOT223-4
包裝:帶卷 (TR)

BSP613P L6327詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
系列:SIPMOS®
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.9A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫歐 @ 2.9A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:33nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:875pF @ 25V
功率_最大:1.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:PG-SOT223-4
包裝:Digi-Reel®

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