BSS123ATC詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CHAN 100V SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:170mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 歐姆 @ 170mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:25pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 包裝:帶卷 (TR)
- 電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向,Can - SMD CAP ALUM 47UF 50V 20% SMD
- 端子 - 環形 TE Connectivity 徑向,Can - SMD CONN RING 14-18AWG #6 TIN CRIMP
- 端子 - 快速連接,快速斷連 TE Connectivity 徑向,Can - SMD CONN RCPT TAB 22-18AWG .250
- 固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 1812 390UH 10%
- FET - 單 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 4.7UF 25V 10% X5R 1206
- 電容器 EPCOS Inc 15000UF 25V 30X30 SNAP IN
- 電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向,Can - SMD CAP ALUM 47UF 63V 20% SMD
- 端子 - 環形 TE Connectivity 徑向,Can - SMD CONN RING UNINS 14-18AWG #8
- 固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 1812 560UH 5%
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 4.7UF 25V 10% X7R 1206
- 電容器 EPCOS Inc 10000UF 35V 30X30 SNAP IN
- 電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向,Can - SMD CAP ALUM 47UF 63V 20% SMD
- 端子 - 鏟形 TE Connectivity 徑向,Can - SMD CONN SPADE 14-18 AWG #6
- 配件 Cherry 徑向,Can - SMD ACTUATOR STNDRD STRGHT LB SUFFIX
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