BSS139 E6327詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:耗盡模式
- 漏極至源極電壓333Vdss444:250V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:100mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 歐姆 @ 0.1mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 56µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:3.5nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:76pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:PG-SOT23-3
- 包裝:帶卷 (TR)
BSS139 E6906詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:耗盡模式
- 漏極至源極電壓333Vdss444:250V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:100mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 歐姆 @ 0.1mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 56µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:3.5nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:76pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:PG-SOT23-3
- 包裝:帶卷 (TR)
BSS139 H6327詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:耗盡模式
- 漏極至源極電壓333Vdss444:250V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:100mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 歐姆 @ 100µA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 56µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:3.5nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:76pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:PG-SOT23-3
- 包裝:Digi-Reel®
BSS139 H6327詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:耗盡模式
- 漏極至源極電壓333Vdss444:250V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:100mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 歐姆 @ 100µA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 56µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:3.5nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:76pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:PG-SOT23-3
- 包裝:帶卷 (TR)
BSS139 H6327詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:耗盡模式
- 漏極至源極電壓333Vdss444:250V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:100mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 歐姆 @ 100µA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 56µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:3.5nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:76pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:PG-SOT23-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
BSS139 L6327詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:耗盡模式
- 漏極至源極電壓333Vdss444:250V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:100mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 歐姆 @ 0.1mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 56µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:3.5nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:76pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:PG-SOT23-3
- 包裝:帶卷 (TR)
- 陶瓷 TDK Corporation 1812(4532 公制) CAP CER 47UF 6.3V 20% X5R 1812
- 按鈕 C&K Components 1812(4532 公制) SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 20V
- 電路板襯墊,支座 Keystone Electronics 1812(4532 公制) SPACER HOLE CLEAR ROUND
- FET - 單 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 10000PF 1KV 10% X7R 1206
- SCR Powerex Inc TO-200AF THYRISTOR FAST SW 2000V 2100A
- 其它 Panavise TO-200AF T-BOLT WINDOW MOUNT
- 固定式 Taiyo Yuden 1007(2518 公制) INDUCTOR 1.0UH 1.2A 20% SMD
- 扁平帶 3M 1007(2518 公制) CABLE FLAT 4COND 19AWG 100M
- SCR Powerex Inc TO-200AF THYRISTOR DISC 2100V 2500A TBK
- 保險絲 - 電氣,特制 Cooper Bussmann 圓柱形,扁平端子(螺栓) FUSE 80A 600V CERAM BODY CSA
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 10000PF 1KV 10% X7R 1206
- 固定式 Taiyo Yuden 1007(2518 公制) INDUCTOR 1.0UH 1.2A 20% SMD
- 多芯導線 3M 1007(2518 公制) ROUND JACKETED 4 WIRE CABLE 10M
- FET - 單 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
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