BSS192,115詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:240V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:200mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 歐姆 @ 200mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.8V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:90pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-243AA
- 供應商設備封裝:SOT-89-3
- 包裝:帶卷 (TR)
BSS192,115詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:240V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:200mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 歐姆 @ 200mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.8V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:90pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-243AA
- 供應商設備封裝:SOT-89-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
BSS192,115詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:240V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:200mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 歐姆 @ 200mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.8V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:90pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-243AA
- 供應商設備封裝:SOT-89-3
- 包裝:Digi-Reel®
BSS192,135詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 240V 200MA SOT-89
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:240V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:200mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 歐姆 @ 200mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.8V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:90pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-243AA
- 供應商設備封裝:SOT-89-3
- 包裝:帶卷 (TR)
BSS192P L6327詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:250V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:190mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 歐姆 @ 190mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 130µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.1nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:104pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-243AA
- 供應商設備封裝:PG-SOT89-4
- 包裝:Digi-Reel®
BSS192P L6327詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:250V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:190mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 歐姆 @ 190mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 130µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.1nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:104pF @ 25V
- 功率_最大:1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-243AA
- 供應商設備封裝:PG-SOT89-4
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 配件 Mueller Electric Co 0805(2012 公制) INSULATOR FOR BU-30,30C SRS RED
- 陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 0.1UF 35V 10% X5R 0402
- 快動,限位,拉桿 Honeywell Sensing and Control 0402(1005 公制) SWITCH ROLLER SPDT 15A SCREW
- FET - 單 NXP Semiconductors TO-243AA MOSFET P-CH 240V 200MA SOT-89
- TVS - 變阻器,MOV EPCOS Inc 0612(1632 公制) VARISTOR ARRAY 17VRMS 0612
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 680PF 100V 1% NP0 0805
- 網絡、陣列 CTS Resistor Products 1506(3816 公制),凸起 RES ARRAY 47K OHM 8 RES 1506
- 配件 Mueller Electric Co 1506(3816 公制),凸起 INSULATOR PVC YELLOW 1.63"
- 陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 0.1UF 35V 10% X5R 0402
- TVS - 變阻器,MOV EPCOS Inc 0612(1632 公制) VARISTOR ARRAY 17VRMS 0612
- 網絡、陣列 CTS Resistor Products 1506(3816 公制),凸起 RES ARRAY 56 OHM 8 RES 1506
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 680PF 50V 1% NP0 0805
- 配件 Mueller Electric Co 0805(2012 公制) INSULATOR PVC GREEN 1.63"
- 陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 0.1UF 35V 10% X5R 0402
- 快動,限位,拉桿 Honeywell Sensing and Control 0402(1005 公制) SWITCH ROLLER SPDT 15A SCREW
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