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BST51,115 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BST51,115詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 60V 500MA SOT89
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:NPN - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.3V @ 500µA,500mA
電流_集電極截止(最大):50nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:2000 @ 500mA,10V
功率_最大:1.3W
頻率_轉換:200MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:SOT-89-3
包裝:帶卷 (TR)

BST51,115詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 60V 500MA SOT89
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:NPN - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.3V @ 500µA,500mA
電流_集電極截止(最大):50nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:2000 @ 500mA,10V
功率_最大:1.3W
頻率_轉換:200MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:SOT-89-3
包裝:剪切帶 (CT)

BST51,115詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 60V 500MA SOT89
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:NPN - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.3V @ 500µA,500mA
電流_集電極截止(最大):50nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:2000 @ 500mA,10V
功率_最大:1.3W
頻率_轉換:200MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:SOT-89-3
包裝:Digi-Reel®

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