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BSZ018NE2LSI 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BSZ018NE2LSI詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:40A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 毫歐 @ 20A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:36nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2500pF @ 12V
功率_最大:69W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerTDFN
供應商設備封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
包裝:Digi-Reel®

BSZ018NE2LSI詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:40A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 毫歐 @ 20A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:36nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2500pF @ 12V
功率_最大:69W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerTDFN
供應商設備封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
包裝:剪切帶 (CT)

BSZ018NE2LSI詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:40A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 毫歐 @ 20A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:36nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2500pF @ 12V
功率_最大:69W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerTDFN
供應商設備封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
包裝:帶卷 (TR)

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