BSZ0901NS詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V S308
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:40A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫歐 @ 20A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2850pF @ 15V
- 功率_最大:50W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
- 包裝:剪切帶 (CT)
BSZ0901NS詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V S308
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:40A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫歐 @ 20A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2850pF @ 15V
- 功率_最大:50W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
- 包裝:帶卷 (TR)
BSZ0901NS詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V S308
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:40A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫歐 @ 20A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2850pF @ 15V
- 功率_最大:50W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
- 包裝:Digi-Reel®
BSZ0901NSI詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,肖特基,金屬氧化物!
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:40A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.1 毫歐 @ 20A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:41nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2600pF @ 15V
- 功率_最大:69W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
- 包裝:Digi-Reel®
BSZ0901NSI詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,肖特基,金屬氧化物!
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:40A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.1 毫歐 @ 20A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:41nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2600pF @ 15V
- 功率_最大:69W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
- 包裝:剪切帶 (CT)
BSZ0901NSI詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,肖特基,金屬氧化物!
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:40A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.1 毫歐 @ 20A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:41nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2600pF @ 15V
- 功率_最大:69W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
- 包裝:帶卷 (TR)
- 配件 Microchip Technology DATA BEGIN PROGR PIC24/DSPIC33
- 手柄 Keystone Electronics HANDLE CONTEMPORARY CHROME PLATE
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向 - 4 引線 CAP FILM 12UF 1.1KVDC RADIAL
- FET - 單 Infineon Technologies 8-TDFN 裸露焊盤 MOSFET N-CH 30V S308
- 存儲器 Rohm Semiconductor 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC EEPROM 1KBIT 400KHZ 8TSSOP
- 評估演示板和套件 Maxim Integrated 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) BOARD DEMO 73S8010R 20-SOIC
- 配件 Cooper Bussmann 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) REPLACEMENT KNOB FOR HPM
- 電容器 EPCOS Inc SNAP IN 12000UF 25V
- 螺釘和螺母驅動器 - 刀片和位 Wiha BIT PK HEX INSERT 9/64" 2/PK
- 接口 - 控制器 Maxim Integrated 32-VFQFN 裸露焊盤 IC SMART CARD INTERFACE 32SOIC
- 存儲器 Rohm Semiconductor 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC EEPROM 2KBIT 100KHZ 8TSSOP
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向 - 4 引線 CAP FILM 12UF 900VDC RADIAL
- 配件 Cooper Bussmann 徑向 - 4 引線 REPLACEMENT KNOB FOR HPM
- 電容器 EPCOS Inc SNAP IN 18000UF 25V
- 矩形- 接頭,公引腳 FCI EURO QKE HDR RA DPWL RLG
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