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BUK9K89-100E,115 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BUK9K89-100E,115詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 12.5A LFPAK56D
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:12.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:85 毫歐 @ 5A, 10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.1V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:16.8nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1108pF @ 25V
功率_最大:38W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT1205,8-LFPAK56
供應商設備封裝:LFPAK56D
包裝:帶卷 (TR)

BUK9K89-100E,115詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 12.5A LFPAK56D
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:12.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:85 毫歐 @ 5A, 10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.1V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:16.8nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1108pF @ 25V
功率_最大:38W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT1205,8-LFPAK56
供應商設備封裝:LFPAK56D
包裝:剪切帶 (CT)

BUK9K89-100E,115詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 12.5A LFPAK56D
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:12.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:85 毫歐 @ 5A, 10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.1V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:16.8nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1108pF @ 25V
功率_最大:38W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT1205,8-LFPAK56
供應商設備封裝:LFPAK56D
包裝:Digi-Reel®

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