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BYG10D 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BYG10D-E3/TR詳細規格

類別:單二極管/整流器
描述:DIODE 1.5A 200V STD AVALANCH SMA
系列:-
制造商:Vishay General Semiconductor
二極管類型:雪崩
電壓_333Vr444(最大):200V
電流_平均整流333Io444:1.5A
電壓_在If時為正向333Vf444(最大):1.15V @ 1.5A
速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢復時間333trr444:4µs
電流_在Vr時反向漏電:1µA @ 200V
電容0a0VrwwwwF:-
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

BYG10D-E3/TR詳細規格

類別:單二極管/整流器
描述:DIODE 1.5A 200V STD AVALANCH SMA
系列:-
制造商:Vishay General Semiconductor
二極管類型:雪崩
電壓_333Vr444(最大):200V
電流_平均整流333Io444:1.5A
電壓_在If時為正向333Vf444(最大):1.15V @ 1.5A
速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢復時間333trr444:4µs
電流_在Vr時反向漏電:1µA @ 200V
電容0a0VrwwwwF:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:DO-214AC,SMA
供應商設備封裝:DO-214AC(SMA)
包裝:帶卷 (TR)

BYG10D-E3/TR詳細規格

類別:單二極管/整流器
描述:DIODE 1.5A 200V STD AVALANCH SMA
系列:-
制造商:Vishay General Semiconductor
二極管類型:雪崩
電壓_333Vr444(最大):200V
電流_平均整流333Io444:1.5A
電壓_在If時為正向333Vf444(最大):1.15V @ 1.5A
速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢復時間333trr444:4µs
電流_在Vr時反向漏電:1µA @ 200V
電容0a0VrwwwwF:-
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

BYG10D-E3/TR3詳細規格

類別:單二極管/整流器
描述:DIODE 1.5A 200V STD AVALANCH SMA
系列:-
制造商:Vishay General Semiconductor
二極管類型:雪崩
電壓_333Vr444(最大):200V
電流_平均整流333Io444:1.5A
電壓_在If時為正向333Vf444(最大):1.15V @ 1.5A
速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢復時間333trr444:4µs
電流_在Vr時反向漏電:1µA @ 200V
電容0a0VrwwwwF:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:DO-214AC,SMA
供應商設備封裝:DO-214AC(SMA)
包裝:帶卷 (TR)

BYG10DHE3/TR詳細規格

類別:單二極管/整流器
描述:DIODE 1.5A 200V STD AVALANCH SMA
系列:-
制造商:Vishay General Semiconductor
二極管類型:雪崩
電壓_333Vr444(最大):200V
電流_平均整流333Io444:1.5A
電壓_在If時為正向333Vf444(最大):1.15V @ 1.5A
速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢復時間333trr444:4µs
電流_在Vr時反向漏電:1µA @ 200V
電容0a0VrwwwwF:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:DO-214AC,SMA
供應商設備封裝:DO-214AC(SMA)
包裝:帶卷 (TR)

BYG10DHE3/TR3詳細規格

類別:單二極管/整流器
描述:DIODE 1.5A 200V STD AVALANCH SMA
系列:-
制造商:Vishay General Semiconductor
二極管類型:雪崩
電壓_333Vr444(最大):200V
電流_平均整流333Io444:1.5A
電壓_在If時為正向333Vf444(最大):1.15V @ 1.5A
速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢復時間333trr444:4µs
電流_在Vr時反向漏電:1µA @ 200V
電容0a0VrwwwwF:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:DO-214AC,SMA
供應商設備封裝:DO-214AC(SMA)
包裝:帶卷 (TR)

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