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C1812C824K5RACTU 全國供應商、價格、PDF資料

C1812C824K5RACTU詳細規格: 類別：陶瓷; 描述：CAP CER 0.82UF 50V 10% X7R 1812; 系列：-; 制造商：Kemet; 電容：0.82µF; 電壓_額定：50V; 容差：±10%; 溫度系數：X7R; 安裝類型：表面貼裝，MLCC; 工作溫度：-55°C ~ 125°C; 應用：通用; 額定值：; 封裝/外殼：1812（4532 公制）; 尺寸/尺寸：; 高度_座高（最大）：; 厚度（最大）：; 引線間隔：; 特點：; 包裝：帶卷 (TR)

C1812C824K5RACTU詳細規格: 類別：陶瓷; 描述：CAP CER 0.82UF 50V 10% X7R 1812; 系列：-; 制造商：Kemet; 電容：0.82µF; 電壓_額定：50V; 容差：±10%; 溫度系數：X7R; 安裝類型：表面貼裝，MLCC; 工作溫度：-55°C ~ 125°C; 應用：通用; 等級：-; 封裝/外殼：1812（4532 公制）; 大小/尺寸：0.177" L x 0.126" W（4.50mm x 3.20mm）; 高度_安裝（最大值）：-; 厚度：; 厚度（最大值）：0.055"（1.40mm）; 引線間距：-; 特性：-; 包裝：帶卷 (TR); 故障率：

BR24L04-W
存儲器 Rohm Semiconductor 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC EEPROM 4KBIT 400KHZ 8DIP
C0603C154K5RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.15UF 50V 10% X7R 0603
C1812C823J5GACTU
陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 0.082UF 50V 5% NP0 1812
C0805C272K5HACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 2700PF 50V 10% X8R 0805
BMI-S-103
RF 屏蔽 Laird Technologies EMI 0805（2012 公制） BOARD SHIELD 1.032X1.032" 1PIECE
BFP 720FESD H6327
RF 晶體管 (BJT) Infineon Technologies 4-SMD，扁平引線 TRANS RF NPN 45GHZ 4.7V TSFP-4
BFP 193 E6327
RF 晶體管 (BJT) Infineon Technologies TO-253-4，TO-253AA TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143
BR24L08FJ-WE2
存儲器 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC EEPROM 8KBIT 400KHZ 8SOP
C0603C154K5RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.15UF 50V 10% X7R 0603
BMI-S-103
RF 屏蔽 Laird Technologies EMI 1812（4532 公制） BOARD SHIELD 1.032X1.032" 1PIECE
C0805C272K5HACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 2700PF 50V 10% X8R 0805
BFP 740 E6327
RF 晶體管 (BJT) Infineon Technologies SC-82A，SOT-343 TRANSISTOR RF NPN 30MA SOT-343
BR24L08FVJ-WE2
存儲器 Rohm Semiconductor 8-VSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC EEPROM 8KBIT 100KHZ TSSOP-B8J
C1812F104K2RACTU
陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 0.1UF 200V 10% X7R 1812
BFP 196R E6327
RF 晶體管 (BJT) Infineon Technologies TO-253-4，TO-253AA TRANS RF NPN 12V 150MA SOT143