CBR02C829D3GAC 全國供應商、價格、PDF資料

CBR02C829D3GAC詳細規格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 8.2PF 25V NP0 0201

系列：CBR

制造商：Kemet

電容：8.2pF

電壓_額定：25V

容差：±0.5pF

溫度系數：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：RF，微波，高頻

額定值：-

封裝/外殼：0201（0603 公制）

尺寸/尺寸：0.024" L x 0.012" W（0.60mm x 0.30mm）

高度_座高（最大）：-

厚度（最大）：0.013"（0.33mm）

引線間隔：-

特點：高 Q 值，低損耗

包裝：帶卷 (TR)

CBR02C829D3GAC詳細規格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 8.2PF 25V NP0 0201

系列：CBR

制造商：Kemet

電容：8.2pF

電壓_額定：25V

容差：±0.5pF

溫度系數：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：RF，微波，高頻

額定值：-

封裝/外殼：0201（0603 公制）

尺寸/尺寸：0.024" L x 0.012" W（0.60mm x 0.30mm）

高度_座高（最大）：-

厚度（最大）：0.013"（0.33mm）

引線間隔：-

特點：高 Q 值，低損耗

包裝：剪切帶 (CT)

CBR02C829D3GAC詳細規格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 8.2PF 25V NP0 0201

系列：CBR

制造商：Kemet

電容：8.2pF

電壓_額定：25V

容差：±0.5pF

溫度系數：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：RF，微波，高頻

等級：

封裝/外殼：0201（0603 公制）

大小/尺寸：

高度_安裝（最大值）：

厚度：

厚度（最大值）：

引線間距：

特性：

包裝：Digi-Reel®

故障率：

CBR02C829D3GAC詳細規格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 8.2PF 25V NP0 0201

系列：CBR

制造商：Kemet

電容：8.2pF

電壓_額定：25V

容差：±0.5pF

溫度系數：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：RF，微波，高頻

額定值：-

封裝/外殼：0201（0603 公制）

尺寸/尺寸：0.024" L x 0.012" W（0.60mm x 0.30mm）

高度_座高（最大）：-

厚度（最大）：0.013"（0.33mm）

引線間隔：-

特點：高 Q 值，低損耗

包裝：Digi-Reel®

CBR02C829D3GAC詳細規格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 8.2PF 25V NP0 0201

系列：CBR

制造商：Kemet

電容：8.2pF

電壓_額定：25V

容差：±0.5pF

溫度系數：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：RF，微波，高頻

等級：

封裝/外殼：0201（0603 公制）

大小/尺寸：

高度_安裝（最大值）：

厚度：

厚度（最大值）：

引線間距：

特性：

包裝：剪切帶 (CT)

故障率：

CBR02C829D3GAC詳細規格

類別：陶瓷

描述：CAP CER 8.2PF 25V NP0 0201

系列：CBR

制造商：Kemet

電容：8.2pF

電壓_額定：25V

容差：±0.5pF

溫度系數：C0G，NP0

安裝類型：表面貼裝，MLCC

工作溫度：-55°C ~ 125°C

應用：RF，微波，高頻

等級：

封裝/外殼：0201（0603 公制）

大小/尺寸：

高度_安裝（最大值）：

厚度：

厚度（最大值）：

引線間距：

特性：

包裝：帶卷 (TR)

故障率：

• FDS2670

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 200V 3A SO-8

• ERJ-B3CJR11V

  芯片電阻 - 表面安裝    Panasonic Electronic Components    寬 0805（2012 公制），0508    RES WIDE TERM 0.11 OHM 5% 0805

• FDB120N10

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK

• FP-301VW-3/8-BLACK-4’-BUL

  熱縮管    3M        HEAT SHRINK FPVW 3/8 BK 48 IN

• CBNC8X

  同軸，RF    Laird Technologies IAS    0603（1608 公制）    CONN BNC MALE CRIMP-ON RG8X

• ERD-S1TJ364V

  通孔電阻器    Panasonic Electronic Components    軸向    RES 360K OHM CARBON FILM 1/2W 5%

• ERJ-6ENF2212V

  芯片電阻 - 表面安裝    Panasonic Electronic Components    0805（2012 公制）    RES 22.1K OHM 1/8W 1% 0805 SMD

• ERJ-S1TF68R1U

  芯片電阻 - 表面安裝    Panasonic Electronic Components    2512（6432 公制）    RES ANTI-SULFUR 68.1 OHM 1% 2512

• FDS2734

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 250V 3A 8-SOIC

• FP-301VW-3/8-BLACK-4’-BUL

  熱縮管    3M        HEAT SHRINK FPVW 3/8 BK 48 IN

• CBNC8X

  同軸，RF    Laird Technologies IAS    0603（1608 公制）    CONN BNC MALE CRIMP-ON RG8X

• ERJ-6ENF2260V

  芯片電阻 - 表面安裝    Panasonic Electronic Components    0805（2012 公制）    RES 226 OHM 1/8W 1% 0805 SMD

• FDS3572

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC

• ERJ-S1TF7150U

  芯片電阻 - 表面安裝    Panasonic Electronic Components    2512（6432 公制）    RES ANTI-SULFUR 715 OHM 1% 2512

• ERD-S1TJ390V

  通孔電阻器    Panasonic Electronic Components    軸向    RES 39 OHM CARBON FILM 1/2W 5%