CMZB18(TE12L,Q) 全國供應商、價格、PDF資料

CMZB18(TE12L,Q)詳細規格

類別：單二極管/齊納

描述：DIODE ZENER 18V 1W M-FLAT

系列：-

制造商：Toshiba

電壓_齊納（標稱）333Vz444：18V

電壓_在If時為正向333Vf444（最大）：1.2V @ 200mA

電流_在Vr時反向漏電：10µA @ 13V

容差：±10%

功率_最大：1W

阻抗（最大）333Zzt444：30 歐姆

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOD-128

供應商設備封裝：M-FLAT（2.4x3.8）

包裝：帶卷 (TR)

• CMZ30(TE12L,Q)

  單二極管/齊納    Toshiba    SOD-128    DIODE ZENER 30V 2W M-FLAT

• CY7C1513JV18-250BZXC

  存儲器    Cypress Semiconductor Corp    165-LBGA    IC SRAM 72MBIT 250MHZ 165TFBGA

• CMF65R30000JNR6

  通孔電阻器    Vishay Dale    軸向    RES 0.3 OHM 1W 5% AXIAL

• CMF6573R200FKEB70

  通孔電阻器    Vishay Dale    軸向    RES 73.2 OHM 1W 1% AXIAL

• CR1206-FX-1211ELF

  芯片電阻 - 表面安裝    Bourns Inc.    1206（3216 公制）    RES 1.21K OHM 1/4W 1% 1206 SMD

• CMZ33(TE12L,Q)

  單二極管/齊納    Toshiba    SOD-128    DIODE ZENER 33V 2W M-FLAT

• CMF65R36000FNR6

  通孔電阻器    Vishay Dale    軸向    RES .36 OHM 1W 1% AXIAL

• CY7C1513KV18-300BZXC

  存儲器    Cypress Semiconductor Corp    165-LBGA    IC SRAM 72MBIT 300MHZ 165LFBGA

• CR1206-FX-1243ELF

  芯片電阻 - 表面安裝    Bourns Inc.    1206（3216 公制）    RES 124K OHM 1/4W 1% 1206 SMD

• CMF65R39000GNEB

  通孔電阻器    Vishay Dale    軸向    RES 0.39 OHM 1W 2% AXIAL

• CY7C1513KV18-333BZI

  存儲器    Cypress Semiconductor Corp    165-LBGA    IC SRAM 72MBIT 333MHZ 165-FPBGA

• CR1206-FX-1372ELF

  芯片電阻 - 表面安裝    Bourns Inc.    1206（3216 公制）    RES 13.7K OHM 1/4W 1% 1206 SMD

• CMF6575R000BHEK

  通孔電阻器    Vishay Dale    軸向    RES 75 OHM 1W 0.1% AXIAL

• CN 3190 X 1"

  RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料    3M    SOD-128    TAPE COPPER-NI/POLY 1"X1FT

• CY7C1513V18-200BZC

  存儲器    Cypress Semiconductor Corp    165-LBGA    IC SRAM 72MBIT 200MHZ 165TFBGA