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CPH3324-TL-E 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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CPH3324-TL-E詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 1.2A CPH3
系列:-
制造商:SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.2A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:530 毫歐 @ 600mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.4nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:265pF @ 20V
功率_最大:1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-96
供應商設備封裝:3-CPH
包裝:剪切帶 (CT)

CPH3324-TL-E詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 1.2A CPH3
系列:-
制造商:SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.2A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:530 毫歐 @ 600mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.4nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:265pF @ 20V
功率_最大:1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-96
供應商設備封裝:3-CPH
包裝:帶卷 (TR)

CPH3324-TL-E詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 1.2A CPH3
系列:-
制造商:SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.2A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:530 毫歐 @ 600mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.4nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:265pF @ 20V
功率_最大:1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-96
供應商設備封裝:3-CPH
包裝:Digi-Reel®

CPH3324-TL-E供應商

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