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CPH3340-TL-E 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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CPH3340-TL-E詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 5A CPH3
系列:-
制造商:SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 2.5A,4V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 4V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1875pF @ 10V
功率_最大:1.2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-96
供應商設備封裝:3-CPH
包裝:剪切帶 (CT)

CPH3340-TL-E詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 5A CPH3
系列:-
制造商:SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 2.5A,4V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 4V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1875pF @ 10V
功率_最大:1.2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-96
供應商設備封裝:3-CPH
包裝:Digi-Reel®

CPH3340-TL-E詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 5A CPH3
系列:-
制造商:SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 2.5A,4V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 4V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1875pF @ 10V
功率_最大:1.2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-96
供應商設備封裝:3-CPH
包裝:帶卷 (TR)

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