CRCW20101R82FNEF 全國供應商、價格、PDF資料

CRCW20101R82FNEF詳細規格

類別：芯片電阻 - 表面安裝

描述：RES 1.82 OHM 3/4W 1% 2010 SMD

系列：CRCW

制造商：Vishay Dale

電阻333Ω444：1.82

功率333W444：0.75W，3/4W

成分：厚膜

特性：獲得 AEC-Q200 汽車認證

溫度系數：±200ppm/°C

容差：±1%

封裝/外殼：2010（5025 公制）

供應商器件封裝：2010（5025 公制）

大小/尺寸：0.197" L x 0.098" W（5.00mm x 2.50mm）

高度：0.028"（0.70mm）

端子數：2

包裝：帶卷 (TR)

• CRCW20101R78FKEF

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 1.78 OHM 3/4W 1% 2010 SMD

• ESC08DRTF

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 16POS DIP .100 SLD

• IDT71V67602S133BGG8

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    119-BGA    IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA

• ESRD121M06XR

  電容器    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    2917（7343 公制）    CAP ALUM 120UF 6.3V 20% SMD

• ICS853111AY-02LF

  時鐘/計時 - 時鐘緩沖器，驅動器    IDT, Integrated Device Technology Inc    32-LQFP    IC CLOCK BUFFER MUX 2:10 32-LQFP

• CRCW20101R80FKEFHP

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 1.80 OHM 1W 1% 2010 SMD

• ESRD220M06B

  電容器    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    2917（7343 公制）    CAP ALUM 22UF 6.3V 20% SMD

• H3CCS-1036G

  矩形    Assmann WSW Components        IDC CABLE - HKC10S/AE10G/HKC10S

• IDT71V67602S133BQ8

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    165-TBGA    IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA

• ESRD221M02B

  電容器    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    2917（7343 公制）    CAP ALUM 220UF 2V 20% SMD

• ICS85314BGI-01LF

  時鐘/計時 - 時鐘緩沖器，驅動器    IDT, Integrated Device Technology Inc    20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC CLOCK BUFFER MUX 2:5 20-TSSOP

• CRCW20101R82FNTF

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 1.82 OHM 3/4W 1% 2010 SMD

• ESRH101M08R

  電容器    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    2917（7343 公制）    CAP ALUM 100UF 8V 20% SMD

• H3CCS-1606M

  矩形    Assmann WSW Components        IDC CABLE - HKC16S/AE16M/HKC16S

• IDT71V67602S133BQI8

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    165-TBGA    IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA