91精品一区二区三区久久久久久_欧美一级特黄大片色_欧美一区二区人人喊爽_精品一区二区三区av

添加收藏夾 設為首頁 深圳服務熱線:13692101218  13751165337 網站地圖|企業名錄|IC詳細資料|熱門庫存|Pdf資料

51電子網Log圖片

IC供應PDF資料非IC供應

51電子網聯系電話:13692101218

當前位置:網站首頁 » 庫存索引1 » 型號"CSD16325Q5"的供應信息

CSD16325Q5 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
按地區:全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

CSD16325Q5詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON
系列:NexFET™
制造商:Texas Instruments
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫歐 @ 30A,8V
Id時的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:4000pF @ 12.5V
功率_最大:3.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝:8-SON
包裝:Digi-Reel®

CSD16325Q5詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON
系列:NexFET™
制造商:Texas Instruments
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫歐 @ 30A,8V
Id時的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:4000pF @ 12.5V
功率_最大:3.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝:8-SON
包裝:帶卷 (TR)

CSD16325Q5詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON
系列:NexFET™
制造商:Texas Instruments
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫歐 @ 30A,8V
Id時的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:4000pF @ 12.5V
功率_最大:3.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝:8-SON
包裝:剪切帶 (CT)

CSD16325Q5C詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
系列:NexFET™
制造商:Texas Instruments
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫歐 @ 30A,8V
Id時的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:4000pF @ 12.5V
功率_最大:3.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝:8-SON-EP(5x6)
包裝:帶卷 (TR)

CSD16325Q5C詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
系列:NexFET™
制造商:Texas Instruments
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫歐 @ 30A,8V
Id時的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:4000pF @ 12.5V
功率_最大:3.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝:8-SON-EP(5x6)
包裝:Digi-Reel®

CSD16325Q5C詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
系列:NexFET™
制造商:Texas Instruments
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫歐 @ 30A,8V
Id時的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:4000pF @ 12.5V
功率_最大:3.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝:8-SON-EP(5x6)
包裝:剪切帶 (CT)

CSD16325Q5供應商

查看更多CSD16325Q5的供應商
把51電子網設為首頁      把51電子網加入收藏夾
關于我們 | 會員收費標準 | 廣告服務 | 付款方式 | 友情鏈接 | 網站地圖 | 聯系我們 | 免責聲明
庫存上載:service@51dzw.com   
版權所有:51dzw.COM 粵ICP備09112631號-6(miitbeian.gov.cn) 服務熱線(深圳):13692101218 13751165337 傳真:0755-83035052 投訴電話:0755-83030533


 復制成功!
上犹县| 鄯善县| 荆州市| 新民市| 马山县| 和田县| 广汉市| 聂拉木县| 彰武县| 菏泽市| 福鼎市| 桃江县| 九龙县| 乃东县| 丽水市| 峨眉山市| 绥阳县| 德清县| 平和县| 巫山县| 新余市| 乐都县| 任丘市| 珠海市| 洛扎县| 绿春县| 奎屯市| 精河县| 余庆县| 兴仁县| 隆安县| 清远市| 高唐县| 新田县| 高青县| 梨树县| 华阴市| 高陵县| 大悟县| 巴彦淖尔市| 石家庄市|