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CSD16407Q5 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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CSD16407Q5詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
系列:NexFET™
制造商:Texas Instruments
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.4 毫歐 @ 25A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1.9V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2660pF @ 12.5V
功率_最大:3.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝:8-SON
包裝:剪切帶 (CT)

CSD16407Q5詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
系列:NexFET™
制造商:Texas Instruments
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.4 毫歐 @ 25A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1.9V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2660pF @ 12.5V
功率_最大:3.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝:8-SON
包裝:Digi-Reel®

CSD16407Q5詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
系列:NexFET™
制造商:Texas Instruments
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.4 毫歐 @ 25A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1.9V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2660pF @ 12.5V
功率_最大:3.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝:8-SON
包裝:帶卷 (TR)

CSD16407Q5C詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
系列:NexFET™
制造商:Texas Instruments
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.4 毫歐 @ 25A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1.9V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2660pF @ 12.5V
功率_最大:3.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝:8-SON-EP(5x6)
包裝:Digi-Reel®

CSD16407Q5C詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
系列:NexFET™
制造商:Texas Instruments
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.4 毫歐 @ 25A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1.9V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2660pF @ 12.5V
功率_最大:3.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝:8-SON-EP(5x6)
包裝:帶卷 (TR)

CSD16407Q5C詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
系列:NexFET™
制造商:Texas Instruments
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.4 毫歐 @ 25A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1.9V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2660pF @ 12.5V
功率_最大:3.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝:8-SON-EP(5x6)
包裝:剪切帶 (CT)

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