CSD16407Q5 全國供應商、價格、PDF資料
CSD16407Q5詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
- 系列:NexFET™
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.4 毫歐 @ 25A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.9V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2660pF @ 12.5V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:8-SON
- 包裝:剪切帶 (CT)
CSD16407Q5詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
- 系列:NexFET™
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.4 毫歐 @ 25A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.9V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2660pF @ 12.5V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:8-SON
- 包裝:Digi-Reel®
CSD16407Q5詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
- 系列:NexFET™
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.4 毫歐 @ 25A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.9V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2660pF @ 12.5V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:8-SON
- 包裝:帶卷 (TR)
CSD16407Q5C詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
- 系列:NexFET™
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.4 毫歐 @ 25A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.9V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2660pF @ 12.5V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:8-SON-EP(5x6)
- 包裝:Digi-Reel®
CSD16407Q5C詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
- 系列:NexFET™
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.4 毫歐 @ 25A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.9V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2660pF @ 12.5V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:8-SON-EP(5x6)
- 包裝:帶卷 (TR)
CSD16407Q5C詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
- 系列:NexFET™
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:100A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.4 毫歐 @ 25A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.9V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2660pF @ 12.5V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:8-SON-EP(5x6)
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 連接器,互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 9POS RT ANG W/SCKT
- FET - 單 Texas Instruments 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 25V 81A 8-SON
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 16 OUT NPN ECON
- 通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 200K OHM 1W 1% AXIAL
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 39POS STRGHT W/SKT
- 固定式 Cooper Bussmann 1210(3225 公制) INDUCTOR CHIP 0.33UH 1210 SMD
- 通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 10K OHM 3.25W 5% WW AXIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 93.1K OHM 1.5W 1% 2512 SMD
- 連接器,互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 12POS RT ANG W/SCKT
- 陣列,信號變壓器 Cooper Bussmann 1210(3225 公制) INDUCTOR TOROID DUAL 31.77UH SMD
- 通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 200 OHM 1W 1% AXIAL
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 39POS SKT
- 通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 15 OHM 3.25W 5% WW AXIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 953 OHM 1.5W 1% 2512 SMD
- 連接器,互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 12POS RT ANG W/SCKT
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