CSD23201W10 全國供應商、價格、PDF資料

CSD23201W10詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

系列：NexFET™

制造商：Texas Instruments

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：12V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：82 毫歐 @ 500mA，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.4nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：325pF @ 6V

功率_最大：1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：4-UFBGA，DSBGA

供應商設備封裝：4-DSBGA（1x1）

包裝：Digi-Reel®

CSD23201W10詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

系列：NexFET™

制造商：Texas Instruments

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：12V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：82 毫歐 @ 500mA，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.4nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：325pF @ 6V

功率_最大：1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：4-UFBGA，DSBGA

供應商設備封裝：4-DSBGA（1x1）

包裝：剪切帶 (CT)

CSD23201W10詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

系列：NexFET™

制造商：Texas Instruments

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：12V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：82 毫歐 @ 500mA，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.4nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：325pF @ 6V

功率_最大：1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：4-UFBGA，DSBGA

供應商設備封裝：4-DSBGA（1x1）

包裝：帶卷 (TR)

• CRCW2512226RFKEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 226 OHM 1W 1% 2512 SMD

• EXB-E10C272J

  網絡、陣列    Panasonic Electronic Components    1608（4021 公制），凹陷    RES ARRAY 2.7K OHM 8 RES 1608

• IRF9Z30

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-220-3    MOSFET P-CH 50V 18A TO-220AB

• CSD18504Q5A

  FET - 單    Texas Instruments    8-PowerTDFN    MOSFET N-CH 40V 8SON

• IRF7473TRPBF

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC

• IRF9Z34NSTRR

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

• CSD20030D

  二極管，整流器 - 陣列    Cree Inc    TO-247-3    DIODE SCHOTTKY 300V 20A TO-247

• IHSR36F1

  按鈕 - 霍爾效應    APEM Components, LLC    非標準    SWITCH HALL EFFECT BLUE

• CRCW2512226RFKTG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 226 OHM 1W 1% 2512 SMD

• IRF9Z34SPBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK

• IRF7484QTRPBF

  其它    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 40V 14A 8SOIC

• IHW15N120R2

  IGBT - 單路    Infineon Technologies    TO-247-3    IGBT 1200V 30A 357W TO247-3

• CSD25302Q2

  FET - 單    Texas Instruments    6-SMD，扁平引線    MOSFET PCH -20V -5A 6SON

• IRF9Z34STRL

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK

• CRCW251222K0JNEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 22K OHM 1W 5% 2512 SMD