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CSD25303W1015 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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CSD25303W1015詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
系列:NexFET™
制造商:Texas Instruments
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:58 毫歐 @ 1.5A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:4.3nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:435pF @ 10V
功率_最大:1.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-UFBGA,DSBGA
供應商設備封裝:6-DSBGA(1x1.5)
包裝:帶卷 (TR)

CSD25303W1015詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
系列:NexFET™
制造商:Texas Instruments
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:58 毫歐 @ 1.5A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:4.3nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:435pF @ 10V
功率_最大:1.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-UFBGA,DSBGA
供應商設備封裝:6-DSBGA(1x1.5)
包裝:剪切帶 (CT)

CSD25303W1015詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
系列:NexFET™
制造商:Texas Instruments
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:58 毫歐 @ 1.5A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:4.3nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:435pF @ 10V
功率_最大:1.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-UFBGA,DSBGA
供應商設備封裝:6-DSBGA(1x1.5)
包裝:Digi-Reel®

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