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CSD75211W1723 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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CSD75211W1723詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA
系列:NexFET™
制造商:Texas Instruments
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫歐 @ 2A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.9nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:600pF @ 10V
功率_最大:1.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:12-UFBGA,DSBGA
供應商設備封裝:12-DSBGA(2.43x1.96)
包裝:Digi-Reel®

CSD75211W1723詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA
系列:NexFET™
制造商:Texas Instruments
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫歐 @ 2A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.9nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:600pF @ 10V
功率_最大:1.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:12-UFBGA,DSBGA
供應商設備封裝:12-DSBGA(2.43x1.96)
包裝:帶卷 (TR)

CSD75211W1723詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA
系列:NexFET™
制造商:Texas Instruments
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫歐 @ 2A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.9nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:600pF @ 10V
功率_最大:1.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:12-UFBGA,DSBGA
供應商設備封裝:12-DSBGA(2.43x1.96)
包裝:剪切帶 (CT)

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