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CSD86330Q3D 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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CSD86330Q3D詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
系列:NexFET™
制造商:Texas Instruments
FET型:2 個 N 通道(半橋)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:20A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.6 毫歐 @ 14A,8V
Id時的Vgs333th444(最大):2.1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.2nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:920pF @ 12.5V
功率_最大:6W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-LDFN
供應商設備封裝:8-SON(3.3x3.3)
包裝:Digi-Reel®

CSD86330Q3D詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
系列:NexFET™
制造商:Texas Instruments
FET型:2 個 N 通道(半橋)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:20A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.6 毫歐 @ 14A,8V
Id時的Vgs333th444(最大):2.1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.2nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:920pF @ 12.5V
功率_最大:6W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-LDFN
供應商設備封裝:8-SON(3.3x3.3)
包裝:剪切帶 (CT)

CSD86330Q3D詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
系列:NexFET™
制造商:Texas Instruments
FET型:2 個 N 通道(半橋)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:25V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:20A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.6 毫歐 @ 14A,8V
Id時的Vgs333th444(最大):2.1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.2nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:920pF @ 12.5V
功率_最大:6W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-LDFN
供應商設備封裝:8-SON(3.3x3.3)
包裝:帶卷 (TR)

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