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DDTA142TU-7詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：470; 電阻器_發射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應商設備封裝：SOT-323; 包裝：帶卷 (TR)

DDTA142TU-7詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：470; 電阻器_發射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應商設備封裝：SOT-323; 包裝：剪切帶 (CT)

DDTA142TU-7詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3; 系列：-; 制造商：Diodes/Zetex; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：470; 電阻器_發射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應商設備封裝：SOT-323; 包裝：帶卷 (TR)

DDTA142TU-7-F詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：470; 電阻器_發射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應商設備封裝：SOT-323; 包裝：剪切帶 (CT)

DDTA142TU-7-F詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：470; 電阻器_發射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應商設備封裝：SOT-323; 包裝：Digi-Reel®

DDTA142TU-7-F詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SC70-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：470; 電阻器_發射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 1mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 頻率_轉換：200MHz; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應商設備封裝：SOT-323; 包裝：帶卷 (TR)

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DDTA142JE-7-F
晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 Diodes Inc SOT-523 TRANS PREBIASED PNP SOT523
BSB280N15NZ3 G
FET - 單 Infineon Technologies 3-WDSON MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
DMS-30PC-0-GS-C
儀表 - 面板，數字 Murata Power Solutions Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） DPM LED MINI 200MVDC 3.5DIG GRN
ECC06DRTS-S93
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 12POS DIP .100 SLD
BPM1532004
配件 TE Connectivity SEAL PANEL MINI PB BLACK
CMF552K4900BEEK
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 2.49K OHM 1/2W 0.1% AXIAL
D38999/20JC35SN
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 22POS FLANGE W/SKT
D38999/20MJ8SB
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 8POS WALL MNT W/SCKT
BSC009NE2LS
FET - 單 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8
ECC06DRXI
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 12POS DIP .100 SLD
D38999/20JC35SN-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 22POS SKT
CMF552K4900CHEK
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 2.49K OHM 1/2W .25% AXIAL
BPM15322
配件 TE Connectivity SEAL PANEL MINI PB RED
D38999/20MJ8SB
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 8POS WALL MNT W/SCKT
DN1047-470M
固定式 TE Connectivity 非標準 INDUCTOR 47UH 1.1A 20% 1047