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DI9952T 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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DI9952T詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.9A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:-
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOP
包裝:剪切帶 (CT)

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