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DMN100-7 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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DMN100-7詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:240 毫歐 @ 1A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.5nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:150pF @ 10V
功率_最大:500mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SC-59-3
包裝:帶卷 (TR)

DMN100-7詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:240 毫歐 @ 1A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.5nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:150pF @ 10V
功率_最大:500mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SC-59-3
包裝:剪切帶 (CT)

DMN100-7-F詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:240 毫歐 @ 1A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.5nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:150pF @ 10V
功率_最大:500mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SC-59-3
包裝:帶卷 (TR)

DMN100-7-F詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:240 毫歐 @ 1A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.5nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:150pF @ 10V
功率_最大:500mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SC-59-3
包裝:剪切帶 (CT)

DMN100-7-F詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:240 毫歐 @ 1A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.5nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:150pF @ 10V
功率_最大:500mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SC-59-3
包裝:Digi-Reel®

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