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DMN2019UTS-13 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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DMN2019UTS-13詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.5 毫歐 @ 7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):950mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.8nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:143pF @ 10V
功率_最大:780mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應商設備封裝:8-TSSOP
包裝:剪切帶 (CT)

DMN2019UTS-13詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.5 毫歐 @ 7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):950mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.8nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:143pF @ 10V
功率_最大:780mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應商設備封裝:8-TSSOP
包裝:Digi-Reel®

DMN2019UTS-13詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.5 毫歐 @ 7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):950mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.8nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:143pF @ 10V
功率_最大:780mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應商設備封裝:8-TSSOP
包裝:帶卷 (TR)

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