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DMN2300UFB4-7B 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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DMN2300UFB4-7B詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSF N CH 20V 1.3A DFN1006H4-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:175 毫歐 @ 300mA,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):950mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.6nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:64.3pF @ 25V
功率_最大:470mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-XFDFN
供應商設備封裝:3-DFN1006H4(1.0x0.6)
包裝:帶卷 (TR)

DMN2300UFB4-7B詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSF N CH 20V 1.3A DFN1006H4-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:175 毫歐 @ 300mA,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):950mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.6nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:64.3pF @ 25V
功率_最大:470mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-XFDFN
供應商設備封裝:3-DFN1006H4(1.0x0.6)
包裝:Digi-Reel®

DMN2300UFB4-7B詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSF N CH 20V 1.3A DFN1006H4-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:175 毫歐 @ 300mA,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):950mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.6nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:64.3pF @ 25V
功率_最大:470mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-XFDFN
供應商設備封裝:3-DFN1006H4(1.0x0.6)
包裝:剪切帶 (CT)

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