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DMN3030LFG-7 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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DMN3030LFG-7詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8
系列:POWERDI®
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫歐 @ 10A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:17.4nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:751pF @ 10V
功率_最大:900mW
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

DMN3030LFG-7詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8
系列:POWERDI®
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫歐 @ 10A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:17.4nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:751pF @ 10V
功率_最大:900mW
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

DMN3030LFG-7詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8
系列:POWERDI®
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫歐 @ 10A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:17.4nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:751pF @ 10V
功率_最大:900mW
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

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