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當前位置:網站首頁 » 庫存索引1 » 型號"DMP2008UFG-7"的供應信息

DMP2008UFG-7 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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DMP2008UFG-7詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSF P CH 20V 12A POWERDI3333-8
系列:POWERDI®
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:12A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.6 毫歐 @ 12A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:72nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:6909pF @ 10V
功率_最大:2.2W
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

DMP2008UFG-7詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSF P CH 20V 12A POWERDI3333-8
系列:POWERDI®
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:12A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.6 毫歐 @ 12A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:72nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:6909pF @ 10V
功率_最大:2.2W
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

DMP2008UFG-7詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSF P CH 20V 12A POWERDI3333-8
系列:POWERDI®
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:12A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8.6 毫歐 @ 12A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:72nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:6909pF @ 10V
功率_最大:2.2W
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

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