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DMP21D0UFD-7 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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DMP21D0UFD-7詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOS P CH 20V 1.14A X1-DFN1212-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.14A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:495 毫歐 @ 800mA,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:3nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:80pF @ 10V
功率_最大:930mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-XDFN
供應商設備封裝:3-X1DFN1212
包裝:剪切帶 (CT)

DMP21D0UFD-7詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOS P CH 20V 1.14A X1-DFN1212-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.14A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:495 毫歐 @ 800mA,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:3nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:80pF @ 10V
功率_最大:930mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-XDFN
供應商設備封裝:3-X1DFN1212
包裝:帶卷 (TR)

DMP21D0UFD-7詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOS P CH 20V 1.14A X1-DFN1212-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.14A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:495 毫歐 @ 800mA,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:3nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:80pF @ 10V
功率_最大:930mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-XDFN
供應商設備封裝:3-X1DFN1212
包裝:Digi-Reel®

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