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DMP4047LFDE-7 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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DMP4047LFDE-7詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSF P CH 40V 3.3A U-DFN2020-6E
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:33 毫歐 @ 4.4A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:23.2nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1382pF @ 20V
功率_最大:700mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-UDFN
供應商設備封裝:*
包裝:Digi-Reel®

DMP4047LFDE-7詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSF P CH 40V 3.3A U-DFN2020-6E
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:33 毫歐 @ 4.4A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:23.2nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1382pF @ 20V
功率_最大:700mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-UDFN
供應商設備封裝:*
包裝:帶卷 (TR)

DMP4047LFDE-7詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSF P CH 40V 3.3A U-DFN2020-6E
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:33 毫歐 @ 4.4A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:23.2nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1382pF @ 20V
功率_最大:700mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-UDFN
供應商設備封裝:*
包裝:剪切帶 (CT)

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