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ECH8619-TL-E 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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ECH8619-TL-E詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N/P-CH 60V 3/2A ECH8
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3A,2A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:93 毫歐 @ 1.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12.8nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:560pF @ 20V
功率_最大:1.3W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:8-ECH
包裝:剪切帶 (CT)

ECH8619-TL-E詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N/P-CH 60V 3/2A ECH8
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3A,2A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:93 毫歐 @ 1.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12.8nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:560pF @ 20V
功率_最大:1.3W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:8-ECH
包裝:Digi-Reel®

ECH8619-TL-E詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N/P-CH 60V 3/2A ECH8
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3A,2A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:93 毫歐 @ 1.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12.8nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:560pF @ 20V
功率_最大:1.3W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:8-ECH
包裝:帶卷 (TR)

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