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EMH詳細規格: 類別：圓形 - 外殼; 描述：CONN E SERIES HSNG MALE NICKEL; 系列：Q-G® E; 制造商：Switchcraft Inc.; 引腳或插座：; 連接器類型：公觸點插座; 類型：; 針腳數：3; 外殼尺寸_插件：-; 尺寸：; 外殼尺寸qqqMIL：-; 線規：; 觸頭端接：; 觸頭類型：焊接; 端接：; 觸頭尺寸：-; 觸頭鍍層：; 安裝類型：面板安裝，法蘭; 觸頭鍍層厚度：; 緊固類型：銷鎖; 方向：帶標記; 外殼材料qqq鍍層：鑄件，鍍鎳; 侵入防護：-; 特性：鎖定; 包裝：散裝

EMH10T2R詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：EMT6; 包裝：剪切帶 (CT)

EMH10T2R詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：EMT6; 包裝：帶卷 (TR)

EMH10T2R詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：EMT6; 包裝：Digi-Reel®

EMH11T2R詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS DUAL NPN 50V 50MA EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：EMT6; 包裝：剪切帶 (CT)

EMH11T2R詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS DUAL NPN 50V 50MA EMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：EMT6; 包裝：帶卷 (TR)

DEM9SA183
D-Sub ITT Cannon DSUB 9 F SOD G A183
ERD-S1TJ203V
通孔電阻器 Panasonic Electronic Components 軸向 RES 20K OHM CARBON FILM 1/2W 5%
DF40C-50DP-0.4V(51)
板對板 - 陣列，邊緣類型，包廂 Hirose Electric Co Ltd CONN HDR 50POS 0.4MM SMD GOLD
EMG9T2R
晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 Rohm Semiconductor EMT5 TRANS DUAL NPN 50V 50MA EMT5
FCP0805H271G-J1
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 0805（2012 公制） CAP FILM 270PF 50VDC 0805
ESM30DRMS
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions ISOTOP CONN EDGECARD 60POS .156 WW
DJT10F23-55HA
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 55POS FLANGE W/PINS
ELVM03100
接線板 - 線至板 Amphenol PCD CONN TERM BLK 3POS 3.81MM R/A
DEM-9S-A197
D-Sub ITT Cannon CONN DSUB RCPT 9POS SLDER CUP
DF40C-60DP-0.4V(51)
板對板 - 陣列，邊緣類型，包廂 Hirose Electric Co Ltd CONN HDR 60POS 0.4MM SMD GOLD
FCP0805H331G-J1
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 0805（2012 公制） CAP FILM 330PF 50VDC 0805
ESM30DRSH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions ISOTOP CONN EDGECARD 60POS DIP .156 SLD
DJT10F23-55HC
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 55POS FLANGE W/PINS
ELVM03300
接線板 - 線至板 Amphenol PCD CONN TERM BLK 3POS 3.81MM ANGLE
DEM9SC
D-Sub ITT Cannon DSUB 9 F

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