EMH 全國供應商、價格、PDF資料

EMH詳細規格

類別：圓形 - 外殼

描述：CONN E SERIES HSNG MALE NICKEL

系列：Q-G® E

制造商：Switchcraft Inc.

引腳或插座：

連接器類型：公觸點插座

類型：

針腳數：3

外殼尺寸_插件：-

尺寸：

外殼尺寸qqqMIL：-

線規：

觸頭端接：

觸頭類型：焊接

端接：

觸頭尺寸：-

觸頭鍍層：

安裝類型：面板安裝，法蘭

觸頭鍍層厚度：

緊固類型：銷鎖

方向：帶標記

外殼材料qqq鍍層：鑄件，鍍鎳

侵入防護：-

特性：鎖定

包裝：散裝

EMH10T2R詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

描述：TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT6

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：22k

電阻器_發射極333R2444（歐）：22k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應商設備封裝：EMT6

包裝：剪切帶 (CT)

EMH10T2R詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

描述：TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT6

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：22k

電阻器_發射極333R2444（歐）：22k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應商設備封裝：EMT6

包裝：帶卷 (TR)

EMH10T2R詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

描述：TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT6

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：22k

電阻器_發射極333R2444（歐）：22k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：56 @ 5mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應商設備封裝：EMT6

包裝：Digi-Reel®

EMH11T2R詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

描述：TRANS DUAL NPN 50V 50MA EMT6

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發射極333R2444（歐）：10k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應商設備封裝：EMT6

包裝：剪切帶 (CT)

EMH11T2R詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

描述：TRANS DUAL NPN 50V 50MA EMT6

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發射極333R2444（歐）：10k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉換：250MHz

功率_最大：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應商設備封裝：EMT6

包裝：帶卷 (TR)

• DEM9SA183

  D-Sub    ITT Cannon        DSUB 9 F SOD G A183

• ERD-S1TJ203V

  通孔電阻器    Panasonic Electronic Components    軸向    RES 20K OHM CARBON FILM 1/2W 5%

• DF40C-50DP-0.4V(51)

  板對板 - 陣列，邊緣類型，包廂    Hirose Electric Co Ltd        CONN HDR 50POS 0.4MM SMD GOLD

• EMG9T2R

  晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式    Rohm Semiconductor    EMT5    TRANS DUAL NPN 50V 50MA EMT5

• FCP0805H271G-J1

  薄膜    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    0805（2012 公制）    CAP FILM 270PF 50VDC 0805

• ESM30DRMS

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions    ISOTOP    CONN EDGECARD 60POS .156 WW

• DJT10F23-55HA

  連接器，互連器件    TE Connectivity        CONN RCPT 55POS FLANGE W/PINS

• ELVM03100

  接線板 - 線至板    Amphenol PCD        CONN TERM BLK 3POS 3.81MM R/A

• DEM-9S-A197

  D-Sub    ITT Cannon        CONN DSUB RCPT 9POS SLDER CUP

• DF40C-60DP-0.4V(51)

  板對板 - 陣列，邊緣類型，包廂    Hirose Electric Co Ltd        CONN HDR 60POS 0.4MM SMD GOLD

• FCP0805H331G-J1

  薄膜    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    0805（2012 公制）    CAP FILM 330PF 50VDC 0805

• ESM30DRSH

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions    ISOTOP    CONN EDGECARD 60POS DIP .156 SLD

• DJT10F23-55HC

  連接器，互連器件    TE Connectivity        CONN RCPT 55POS FLANGE W/PINS

• ELVM03300

  接線板 - 線至板    Amphenol PCD        CONN TERM BLK 3POS 3.81MM ANGLE

• DEM9SC

  D-Sub    ITT Cannon        DSUB 9 F