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EPC1013 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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EPC1013詳細規格

類別:FET - 單
描述:TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
系列:eGaN®
制造商:EPC
FET型:GaNFET N 通道,氮化鎵
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:150V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫歐 @ 5A,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.7nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:110pF @ 75V
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:4-LGA
供應商設備封裝:4-LGA(1.7x0.9)
包裝:帶卷 (TR)

EPC1013詳細規格

類別:FET - 單
描述:TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
系列:eGaN®
制造商:EPC
FET型:GaNFET N 通道,氮化鎵
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:150V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫歐 @ 5A,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.7nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:110pF @ 75V
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:4-LGA
供應商設備封裝:4-LGA(1.7x0.9)
包裝:Digi-Reel®

EPC1013詳細規格

類別:FET - 單
描述:TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
系列:eGaN®
制造商:EPC
FET型:GaNFET N 通道,氮化鎵
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:150V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫歐 @ 5A,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.7nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:110pF @ 75V
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:4-LGA
供應商設備封裝:4-LGA(1.7x0.9)
包裝:剪切帶 (CT)

EPC1013供應商

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