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EPC2014 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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EPC2014詳細規格

類別:FET - 單
描述:TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
系列:eGaN®
制造商:EPC
FET型:GaNFET N 通道,氮化鎵
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:10A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫歐 @ 5A,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 2mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:2.48nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:300pF @ 20V
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:5-LGA
供應商設備封裝:5-LGA(1.7x1.1)
包裝:剪切帶 (CT)

EPC2014詳細規格

類別:FET - 單
描述:TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
系列:eGaN®
制造商:EPC
FET型:GaNFET N 通道,氮化鎵
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:10A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫歐 @ 5A,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 2mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:2.48nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:300pF @ 20V
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:5-LGA
供應商設備封裝:5-LGA(1.7x1.1)
包裝:帶卷 (TR)

EPC2014詳細規格

類別:FET - 單
描述:TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
系列:eGaN®
制造商:EPC
FET型:GaNFET N 通道,氮化鎵
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:10A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫歐 @ 5A,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 2mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:2.48nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:300pF @ 20V
功率_最大:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:5-LGA
供應商設備封裝:5-LGA(1.7x1.1)
包裝:Digi-Reel®

EPC2014供應商

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