91精品一区二区三区久久久久久_欧美一级特黄大片色_欧美一区二区人人喊爽_精品一区二区三区av

添加收藏夾 設為首頁 深圳服務熱線:13692101218  13751165337 網站地圖|企業名錄|IC詳細資料|熱門庫存|Pdf資料

51電子網Log圖片

IC供應PDF資料非IC供應

51電子網聯系電話:13692101218

當前位置:網站首頁 » 庫存索引721 » 型號"IRFL4105"的供應信息

IRFL4105 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
按地區:全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

IRFL4105詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 3.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 25V
功率_最大:1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SOT-223
包裝:管件

IRFL4105PBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 3.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 25V
功率_最大:1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SOT-223
包裝:管件

IRFL4105TR詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 3.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 25V
功率_最大:1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SOT-223
包裝:帶卷 (TR)

IRFL4105TR詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 3.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 25V
功率_最大:1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SOT-223
包裝:剪切帶 (CT)

IRFL4105TRPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 3.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 25V
功率_最大:1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SOT-223
包裝:剪切帶 (CT)

IRFL4105TRPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 3.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 25V
功率_最大:1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SOT-223
包裝:帶卷 (TR)

IRFL4105供應商

查看更多IRFL4105的供應商
把51電子網設為首頁      把51電子網加入收藏夾
關于我們 | 會員收費標準 | 廣告服務 | 付款方式 | 友情鏈接 | 網站地圖 | 聯系我們 | 免責聲明
庫存上載:service@51dzw.com   
版權所有:51dzw.COM 粵ICP備09112631號-6(miitbeian.gov.cn) 服務熱線(深圳):13751165337 13692101218 傳真:0755-83035052 投訴電話:0755-83030533


 復制成功!
额济纳旗| 亚东县| 体育| 田东县| 西乌珠穆沁旗| 根河市| 石柱| 锦屏县| 奉新县| 永年县| 资阳市| 商河县| 墨竹工卡县| 丹巴县| 前郭尔| 三门县| 阳新县| 越西县| 永胜县| 南投县| 耿马| 昌平区| 乌海市| 蚌埠市| 桦川县| 西丰县| 靖宇县| 绥德县| 衡阳县| 古田县| 栾城县| 永登县| 玛曲县| 长汀县| 天气| 黑水县| 汉沽区| 罗田县| 班玛县| 青冈县| 封开县|