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IRFL4105 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRFL4105詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 3.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 25V
功率_最大:1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SOT-223
包裝:管件

IRFL4105PBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 3.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 25V
功率_最大:1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SOT-223
包裝:管件

IRFL4105TR詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 3.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 25V
功率_最大:1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SOT-223
包裝:帶卷 (TR)

IRFL4105TR詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 3.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 25V
功率_最大:1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SOT-223
包裝:剪切帶 (CT)

IRFL4105TRPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 3.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 25V
功率_最大:1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SOT-223
包裝:剪切帶 (CT)

IRFL4105TRPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 3.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 25V
功率_最大:1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SOT-223
包裝:帶卷 (TR)

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